半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-018600
公開番号（公開出願番号）：特開2001-281704
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型表示装置の画素開口率を改善する。【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極160をゲート配線143及び島状のソース配線139と一部重なるように配置し、TFTを遮光する箇所は、対向基板に設けられたカラーフィルタ(赤または赤と青の積層)を設けることによって高い画素開口率を実現する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に第1の半導体層及び第2の半導体層と、前記第1の半導体層及び第2の半導体層上に第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に前記第1の半導体層と重なるゲート配線と、前記第2の半導体層の上方に位置する前記第1絶縁膜上に容量配線と、前記第1の絶縁膜上に島状のソース配線と、前記ゲート配線、前記容量配線、及び前記島状のソース配線とを覆う第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に前記島状のソース配線及び前記第1の半導体層と接続された接続電極と、前記第2絶縁膜上に前記第1の半導体層と接続された画素電極とを有し、前記画素電極は、前記第2絶縁膜を間に挟んで前記島状のソース配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 617 K

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平1-101519
特開平3-175430
特開昭63-070832

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審査官引用 (3件)

特開平1-101519
特開平3-175430
特開昭63-070832

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