特許
J-GLOBAL ID：200903066369200964
半導体ウェーハをエッチングするための方法と装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-529598
公開番号（公開出願番号）：特表2000-504884
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：
【要約】プラズマ処理チャンバでのウェーハ積層のTiN層をエッチングするための方法。この方法は、少なくともTiN層の一部を第1化学物質でエッチングする段階を備えている。その化学物質には好適にTiNエッチング・ガス、不活性ガス、および重合体成形化学物質を含む。1つの実施例では、TiNエッチング・ガスはCl2、不活性ガスはアルゴン、重合体成形化学物質はCHF3である。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理チャンバにおいて、ウェーハ積層の任意の層、つまりTiN層とTi層の一方をエッチングするための方法であって、 少なくとも前記の指定した層の一部を第1化学物質、つまり前記の指定した層をエッチングするために構成されているエッチング・ガス、不活性ガス、および重合体成形化学物質から成る前記第1化学物質を使用してエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
引用特許：
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