特許
J-GLOBAL ID:200903066380641840

磁気抵抗材料及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-217488
公開番号(公開出願番号):特開平11-067537
出願日: 1997年08月12日
公開日(公表日): 1999年03月09日
要約:
【要約】【課題】 外部磁界の変化に対する磁界感度が良好であり、好ましくは外部磁界の極性を容易に検出することができる磁気抵抗材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】 磁気抵抗材料は、硬磁性材料からなる磁性粒子が析出しているグラニュラ構造を有し厚さが5乃至100Åである第1の磁性層と、軟磁性材料からなる磁性粒子が析出しているグラニュラ構造を有し前記第1の磁性層の保磁力よりも小さな保磁力を有し厚さが5乃至100Åである第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられ厚さが1乃至50Åである非磁性層とを有する。そして、硬磁性材料からなる磁性粒子の磁気モーメントは膜厚方向と直交する1方向に配向して固定されている。
請求項(抜粋):
第1の磁性粒子が析出しているグラニュラ構造を有する第1の磁性層と、第2の磁性粒子が析出しているグラニュラ構造を有し前記第1の磁性層の保磁力よりも小さな保磁力を有する第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた非磁性層とを有し、前記第1の磁性粒子の磁気モーメントは膜厚方向と直交する1方向に配向して固定されていることを特徴とする磁気抵抗材料。
IPC (4件):
H01F 10/08 ,  C23C 14/34 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/08
FI (4件):
H01F 10/08 ,  C23C 14/34 P ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/08 Z
引用特許:
審査官引用 (4件)
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