特許
J-GLOBAL ID：200903066401340994

半導体上に酸化膜を形成する装置及び方法

発明者：
バレリー・ワイ・サクハレヴ

バレリー・ワイ・サクハレヴ について


出願人/特許権者：
エルエスアイ ロジック コーポレーション

エルエスアイ ロジック コーポレーション について


代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-287829
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233502
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 酸素プラズマ及びTEOSを用いて半導体上に二酸化ケイ素膜を形成する装置及び方法を提供する。【解決手段】 本装置は、質量分析法及び/又は光学的な発光分光分析法によってプラズマを分析する手段9、11を備えている。このプラズマの分析により、選択された作動パラメータを調節して、プラズマの中に存在する分子の酸素カチオンの原子の酸素カチオンに対する比を増大させる。これにより、形成された酸化膜の中に含まれる炭素及び水素の原子の濃度を減少させる。高い絶縁特性を有する酸化膜は、約1ppmを超えない濃度の炭素と、約1013cm-3を超えない濃度の水素とを含むように特定される。TEOSの中の炭素、酸素、水素及びシリコンの原子の間の結合エネルギを分析し、酸素及びTEOSを含むプラズマ中の所要作動パラメータを表示して、優れた絶縁特性を有する酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
酸素及びTEOSの存在下でシリコン半導体の上に酸化膜を形成する装置であって、気体プラズマを形成する領域の回りに設けられ、RF電力が供給されることに応答して前記領域に設けられた半導体に前記気体プラズマを接触させる電極を有している、反応チャンバと、前記チャンバに接続されていて、前記チャンバに入る酸素及びTEOSの流れを前記チャンバの中の選択された全圧に調節する、流入手段及び流出手段と、前記領域の中のプラズマの選択されたパラメータを検知して該検知されたパラメータを表す出力を発生し、前記領域の中の半導体の上に酸化膜を形成する間に、前記プラズマの中に存在する分子の酸素カチオンの原子の酸素カチオンに対する比を調節するように、前記チャンバに接続された分析手段とを備えること、を特徴とする装置。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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