特許
J-GLOBAL ID：200903013913537602
スピンバルブを有した磁気抵抗デバイスならびに改良された性能
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-535211
公開番号（公開出願番号）：特表2005-505932
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
本発明は、スピンバルブ(1)を具備した磁気抵抗デバイスに関するものであって、スピンバルブ(1)が、複数の層からなる積層体から形成され、積層体が、各磁化方向の相対的配向性を磁界の影響によって変更し得るような少なくとも2つの磁性層(2,3)を備え、磁気抵抗デバイスが、さらに、複数の層がなす面を横断する向きにスピンバルブ内を通して電流を流すための手段(6a,6b)を具備している。スピンバルブ(1)は、積層体の中に、複数の導電性ブリッジ(5)が厚さ方向に貫通形成されている少なくとも1つの不連続な誘電体層または半導体層(4)と、を備え、ブリッジ(5)が、積層体を横断して流れる電流を局所的に集中させ得るものとして構成されている。本発明は、磁気読取ヘッドやランダムアクセスメモリに対して特に好適に応用される。
請求項（抜粋）：
スピンバルブ(1)を具備した磁気抵抗デバイスであって、
前記スピンバルブ(1)が、複数の層からなる積層体から形成され、
前記積層体が、各磁化方向の相対的配向性を磁界の影響によって変更し得るような少なくとも2つの磁性層(2,3)と、複数の導電性ブリッジ(5)が厚さ方向に貫通形成されている少なくとも1つの不連続な誘電体層または半導体層(4)と、を備え、
前記ブリッジ(5)が、前記積層体を横断して流れる電流を局所的に集中させ得るものとして構成され、
さらに、前記複数の層がなす面を横断する向きに前記スピンバルブ内を通して電流を流すための手段(6a,6b)を具備し、
このような磁気抵抗デバイスにおいて、
前記導電性ブリッジ(5)付きの前記誘電体層または半導体層(4)が、前記少なくとも2つの磁性層のうちの一方の磁性層(3)内に設けられていることを特徴とする磁気抵抗デバイス。
IPC (7件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/30
, H01F10/32
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/30
, H01F10/32
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA03
, 5D034BA05
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049BA25
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083JA02
, 5F083JA14
, 5F083JA31
, 5F083JA32
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
