特許

J-GLOBAL ID：200903066434575660

マルチレベルセル不揮発性メモリデバイスにおけるシングルレベルセルプログラミング

発明者： ルーフパーバー,フランキー エフ.
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-544553
公開番号（公開出願番号）：特表2009-518775
出願日： 2006年12月08日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

マルチレベルセルメモリアレイはシングルレベルセルとしてプログラム可能な領域を有する。このプログラムされるセルは、最初に所望のデータをセルの最下位ビット、もしくは最上位ビットのどちらかにプログラムする。次に、第2のプログラミング動作は、セルの閾値レベルを所望のデータのための適切なレベルに調節する補強データをプログラムする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マルチレベルセルメモリデバイスに、シングルレベルプログラミングするための方法であって、 前記方法が、 前記セルの最下位ビット、もしくは最上位ビットのどちらか一つに所望のデータを書き込むステップと、 前記セルの閾値電圧が、前記所望のデータに必要とされる電圧レベルに調節されるように、補強データを前記セルの残りのビットに書き込むステップと、 を含む方法。

IPC (7件)：

G11C 16/02 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  G11C 16/04

FI (6件)：

G11C17/00 611G ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 495 ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 641

Fターム (32件)：

5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA08 ,  5B125CA19 ,  5B125CA21 ,  5B125DB08 ,  5B125DB19 ,  5B125DD02 ,  5B125DE15 ,  5B125EA05 ,  5B125EK01 ,  5B125EK02 ,  5B125FA01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER22 ,  5F083ER27 ,  5F083GA15 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF01 ,  5F101BF02 ,  5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 記憶回路、記憶回路から情報を読み出す方法および記憶回路に情報を書き込む方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-018819   出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-402161   出願人：株式会社東芝