特許
J-GLOBAL ID：200903066448794721
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309073
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138226
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 ベース電極抵抗を低減することができると共に、ベース電極に通流することができる許容電流を高めることができるヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の上にはベース層4が選択的に形成されており、このベース層4の上にベース電極形成領域に開口部を有するAlGaAsエミッタ層5が選択的に形成されている。また、AlGaAsエミッタ層5の上には、GaAsエミッタ層6、エミッタキャップ層7及びエミッタ電極膜8が選択的に形成されている。AlGaAsエミッタ層5において、GaAsエミッタ層6に覆われていない領域はパッシベーション領域10となっており、AlGaAsエミッタ層5の開口部内には、ベース層4に接触するベース電極11がパッシベーション領域上まで延出するように形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上に選択的に形成されたベース層と、前記ベース層上に選択的に形成されたベース電極と、前記ベース層の上に選択的に形成されたエミッタ層と、前記エミッタ層の上に選択的に形成されたエミッタ電極と、前記ベース電極と前記ベース層との接続領域と前記エミッタ層との間における前記ベース層上に設けられたパッシベーション領域と、を有し、前記ベース電極は前記パッシベーション領域上まで延出していることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
5F003BA11
, 5F003BA13
, 5F003BA92
, 5F003BB05
, 5F003BE01
, 5F003BE04
, 5F003BE90
, 5F003BF06
, 5F003BH01
, 5F003BH94
, 5F003BM03
, 5F003BP11
, 5F003BP12
, 5F003BP32
, 5F003BS04
, 5F003BS08
