特許
J-GLOBAL ID：200903066455111044
電極配線およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351171
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201779
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】微細構造の半導体装置において信頼性の高いアルミニウム配線およびその形成方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板21上に形成された第1の窒化チタン膜23と、その上に形成され、結晶配向が(111)配向である第2の窒化チタン膜24と、その上に形成されたアルミニウム配線25とを具備することを特徴とする。また、半導体基板21上にCVD法により第1の窒化チタン膜23を形成し、第1の窒化チタン膜23を少なくともハロゲン元素を含むガスに晒し、その後第1の窒化チタン膜23上にCVD法により結晶配向が(111)配向である第2の窒化チタン膜24を形成し、第2の窒化チタン膜上にアルミニウム配線25を形成する工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された結晶配向が(100)配向である第1の窒化チタン膜と、前記第1の窒化チタン膜上に形成され、結晶配向が(111)配向である第2の窒化チタン膜と、前記第2の窒化チタン膜上に形成されたアルミニウム配線とを具備することを特徴とする電極配線。
IPC (2件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
