特許

J-GLOBAL ID：200903066508874525

レジスト膜形成方法

発明者： 遠藤 弘樹
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127629
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324745
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 HMDS処理を行った基板表面に形成されるレジスト膜の膜厚を均一なものにする。【解決手段】 基板表面にHMDS処理を施し、次いでプリウェット処理を行う。プリウェット液にはレジスト液が溶解する溶媒を用い、プリウェット処理が終了したならば直ちにレジスト液を塗布する。レジスト液の塗布もプリウェット液の塗布も、基板の中心に滴下した後、スピンナーにて基板を回転せしめる。レジスト液の塗布はできるだけプリウェット液の塗布と近接していることが好ましい。レジスト液の塗布が終了したら、基板をホットプレート上に載置し、ベーク処理を行い、レジスト膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板表面にHMDS(ヘキサメチルジシラザン)処理を施した後、HMDS処理が終了した表面に環境温度よりも低温に維持されたレジスト液を塗布・拡散せしめ、この後レジスト液をベークするようにしたことを特徴とするレジスト膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  B05D 1/40 ,  B05D 3/04 ,  B05D 7/00 ,  G03F 7/16

FI (6件)：

B05D 1/40 A ,  B05D 3/04 B ,  B05D 7/00 H ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/30 564 D ,  H01L 21/30 563

Fターム (18件)：

2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025EA01 ,  2H025EA05 ,  2H025EA10 ,  4D075AC64 ,  4D075AC96 ,  4D075BB26Z ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DC22 ,  4D075EA45 ,  4D075EB42 ,  5F046HA01 ,  5F046JA02 ,  5F046JA09 ,  5F046JA16 ,  5F046JA22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246586   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 塗布方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-079300   出願人：キヤノン販売株式会社, キヤノン株式会社
• 塗布方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-247270   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 塗布膜形成方法および塗布装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-025678   出願人：東京エレクトロン株式会社