特許

J-GLOBAL ID：200903066512958512

シャロートレンチアイソレーションプロセス

発明者： キュリー,マシュー,ティー ,  ロックテフェルド,アンソニー,ジェイ
出願人/特許権者： アンバーウェーブ システムズ コーポレイション
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-509191
公開番号（公開出願番号）：特表2006-521026
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

トランジスタとトレンチ構造とを含む構造に関し、トレンチ構造は、トランジスタのチャネル領域内に歪みの一部のみを導入する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に設けられている第1のトランジスタとを含む構造であって、該第1のトランジスタが、 前記基板の第1の領域に設けられた第1のソース領域および第1のドレイン領域と、 前記第1のソース領域と前記第1のドレイン領域との間に設けられていて、第1の種類の歪みを有している第1のチャネル領域と、 前記第1のチャネル領域上にかつ前記第1のソース領域と前記第1のドレイン領域との間に設けられていて、ドープ半導体、金属および金属化合物からなる群から選択される材料を含む第1のゲートと、 前記第1のソース領域および前記第1のドレイン領域の一方の少なくとも一方の側で隣接する第1のトレンチ構造とを含んでおり、 前記第1のトレンチ構造が、前記第1のチャネル領域内に第1の種類の歪みの一部のみを導入している、構造。

IPC (7件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (11件)：

H01L21/76 L ,  H01L21/76 D ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 102B ,  H01L29/78 301R ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 621

Fターム (106件)：

5F032AA03 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA47 ,  5F032AA54 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032CA05 ,  5F032CA06 ,  5F032CA09 ,  5F032CA10 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA78 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048BA03 ,  5F048BA05 ,  5F048BA07 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD05 ,  5F048BD09 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG07 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DB06 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM07 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AB01 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA10 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BH27 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置、その製造方法およびダミー領域の配置方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-100437   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-056945   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-393824   出願人：松下電器産業株式会社