半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393824
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270834
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】ヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタを備えた,性能の高い半導体装置を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタにおいて、Si基板10の上に、Si層11と、SiC(Si1-y Cy )チャネル層12と、窒化炭素層(CN)からなるCNゲート絶縁膜13と、ゲート電極14とが順次積層されて設けられている。SiCチャネル層12の厚さは、炭素含有量に応じて歪による転位が発生しないよう臨界膜厚以下の値にされている。SiCチャネル層12の両側には、ソース領域15とドレイン領域16とが形成されており、ソース領域15,ドレイン領域16の上には、それぞれソース電極17とドレイン電極18とが設けられている。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの電界効果トランジスタを設けてなる半導体装置であって、上記電界効果トランジスタは、第1の半導体層と、上記第1の半導体層の上に設けられ、最上部が窒素含有層からなり、主部がSi<SB>1-x-y</SB>Ge<SB>x</SB>C<SB>y</SB> (0≦x<1,0≦y<1,x+y>0)で表される組成を有する第2の半導体層からなる第1の活性層と、上記第1の活性層の上に設けられたゲート電極とを備えている半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/205 , H01L 21/314 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/161

FI (6件)：

H01L 21/205 , H01L 21/314 A , H01L 29/78 301 B , H01L 27/08 321 C , H01L 29/163 , H01L 27/08 321 D

Fターム (63件)：

5F045AA02 , 5F045AA05 , 5F045AB06 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045CA02 , 5F045DA52 , 5F048AC03 , 5F048BA03 , 5F048BA05 , 5F048BA14 , 5F048BA19 , 5F048BB04 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BE03 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F058BC07 , 5F058BF02 , 5F058BF09 , 5F058BF20 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA40 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BB13 , 5F140BB18 , 5F140BC11 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG32 , 5F140BG33 , 5F140BG38 , 5F140BG58 , 5F140BH06 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC07

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-333601 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-247664
特開平4-247664

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