特許
J-GLOBAL ID：200903066531673634
帯電防止膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316189
公開番号（公開出願番号）：特開平7-166157
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：
【要約】【目的】基板1表面に単分子膜で共役系を作り、さらにドーパントとなる単分子膜もその中に組み込み従来よりも透明性がよく、しかも耐久性にも富み、導電率も高い帯電防止膜、及びその製造方法を提供する。【構成】基体1表面にSi分子を含む共有結合によって形成された単分子膜4であって、単分子膜4は少なくとも単分子間で共役系を形成した単分子と、親水性基を含む単分子を共に有することにより、透明性及び耐久性がよく、しかも導電率の高い化学吸着膜となる。この化学吸着膜4は、例えば二重または三重結合を有するクロロシラン化合物と親水性基を有するクロロシラン化合物とを共に基板表面に縮合反応によって固定する。
請求項（抜粋）：
基体表面にSi分子を含む共有結合によって形成された単分子膜であって、前記単分子膜は少なくとも単分子間で共役系を形成した単分子と、親水性基を含む単分子を共に有することを特徴とする帯電防止膜。
IPC (6件)：
C09K 3/16 109
, B32B 7/04
, B32B 9/00
, C08G 77/38 NUF
, C08G 81/00 NUU
, C08J 7/04
