半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢作和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151764
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347488
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】SOI技術による半導体素子の高速化・高集積化と、フリップチップ実装によるパッケージの小型化を阻害することなく、放熱性能を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】支持基板11上に半導体層10が積層されてなる半導体装置101において、半導体層10側の第1表面70に半導体素子81〜83が形成され、支持基板11側の第2表面71から半導体層10へ向けて溝2が形成され、溝2内に支持基板11より熱伝導率の大きな高熱伝導材料3を埋め込み形成して、半導体装置101の放熱性能を向上させる。

請求項（抜粋）：

支持基板上に半導体層が積層されてなる半導体装置において、前記半導体層側の第1表面に半導体素子が形成され、前記支持基板側の第2表面から前記半導体層へ向けて溝が形成され、前記溝内に、前記支持基板より熱伝導率の大きな高熱伝導材料が埋め込まれることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/36 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 23/36 C , H01L 27/04 H

Fターム (14件)：

5F036AA01 , 5F036BA04 , 5F036BA23 , 5F036BB05 , 5F036BB08 , 5F036BC06 , 5F036BD11 , 5F036BE09 , 5F038BE07 , 5F038BH01 , 5F038BH16 , 5F038EZ06 , 5F038EZ07 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-251958
特開平4-251958
特開平4-251958

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