プラズマ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165937
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357600
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】高価で設置に場所をとる高周波電源装置を使用せずに、電極の自己バイアス電位の制御なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】反応室2内に臨ませてカソード電極3、アノード電極4、リング電極5を配置し、反応室2内に処理ガスを導入した状態で、カソード電極3及びリング電極5とアノード電極4間に高周波電力を印加することで、反応室2内にプラズマを発生させ、このプラズマを利用することで、アノード電極4上に載置した基板Wの表面に所定の処理を施すプラズマCVD処理装置において、カソード電極3及びリング電極5に高周波電力を印加する高周波発振器21、23を接続すると共に、アノード電極4に、該電極4のインピーダンスを変化させることで該電極の自己バイアス電位を制御するコイルとコンデンサよりなる整合回路30を接続した。

請求項（抜粋）：

反応室内に臨ませて2つの電極を配置し、前記反応室内に処理ガスを導入した状態でこれら2つの電極間に高周波電力を印加することで反応室内にプラズマを発生させ、このプラズマを利用することで、いずれか一方の電極上に配した基板に所定の処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極のうちの一方の電極に、該電極に対して高周波電力を印加する高周波電力印加回路を接続すると共に、他方の電極に、該電極のインピーダンスを変化させることで該電極の自己バイアス電位を制御する自己バイアス電位制御回路を接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 , C23C 16/505 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (7件)：

H05H 1/46 M , H05H 1/46 R , C23C 16/505 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 C

Fターム (20件)：

4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030FA03 , 4K030KA20 , 4K030KA30 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030KA45 , 4K057DA20 , 4K057DD01 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA16 , 5F004BC08 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045BB08 , 5F045DP03

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-025475
特開昭58-158929
特開昭61-166028

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