特許
J-GLOBAL ID：200903053276160402

プラズマ処理装置

発明者：
塚田 勉

塚田 勉 について

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スニル・ウィクラマナヤカ

スニル・ウィクラマナヤカ について

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佐藤 徳芳

佐藤 徳芳 について

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飯塚 哲

飯塚 哲 について

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李 雲龍

李 雲龍 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について

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佐藤 徳芳

佐藤 徳芳 について

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飯塚 哲

飯塚 哲 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272102
公開番号（公開出願番号）：特開平11-149997
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ形成の電力効率が良好で高い均一性のプラズマによる処理が可能であり、且つ基板の汚損の少ない良質な処理を行う。【解決手段】 内部に基板9が配置される処理チャンバー1の側壁部分を構成するように設けられた側壁電極81には、20MHz以上のような電子のトラップ効果によってプラズマ均一性の圧力依存性が解消する程度の周波数の高周波電力が供給され、基板9に平行な面内での均一性が圧力上昇によらず7%以下に抑えるられるプラズマが形成される。側壁電極81の内側面は基板9の表面を汚損しない材料のシールド83で覆われ、側壁電極81の内側に処理チャンバー1の中心軸に向けて膨らんだ磁力線85を設定する磁石84が設けられている。
請求項（抜粋）：
内部に処理対象物としての基板が配置される処理チャンバーと、処理チャンバー内を排気する排気系と、処理チャンバー内に所定のガスを導入するガス導入系と、処理チャンバー内にプラズマを形成するプラズマ源とを備えたプラズマ処理装置であって、プラズマ源は、処理チャンバーの側壁部分を構成するようにして設けられた側壁電極と、側壁電極に高周波電力を供給する高周波電源とを有し、高周波電源は、電子のトラップ効果によってプラズマ均一性の圧力依存性が解消する程度の周波数の高周波電力を側壁電極に供給するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H05H 1/46 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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