半導体製造装置の洗浄装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：笹島富二雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046215
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242100
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】CMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシング:化学的機械研磨)後に精密洗浄を行う。【解決手段】洗浄液供給管11を太管12、細管13の2重構造として、太管12、細管13に、夫々、ノズル14-1〜14-n、15-1〜15-nを取り付け、低圧、高圧の洗浄液を供給する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの表面を洗浄する半導体製造装置の洗浄装置において、前記半導体ウェハ表面に洗浄液を吹きつけて非接触で半導体ウェハ表面を洗浄する洗浄手段を備えて構成されたことを特徴とする半導体製造装置の洗浄装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

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