特許
J-GLOBAL ID：200903066590336617
半導体装置の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272433
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068356
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】所望種類の半導体装置を、スループットが高く、汚染の恐れが少なく低コストで容易に製造できる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造工程を、それぞれ複数の要素処理工程からなる複数の単位プロセス工程に分割し、製造すべき半導体装置の種類によって選択された単位プロセス工程を組み合わせて接続し、半導体半導体ウエーハを順次処理する。【効果】同一の枚葉式生産ラインを用いて、所望種類の半導体装置を容易に製造できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造に要する製造工程を、それぞれ複数の要素処理工程を含む複数の単位プロセス工程に分割し、当該複数の単位プロセス工程のうち、製造すべき半導体装置の種類によって複数の所望上記単位プロセス工程を選択して所定の順序に接続し、当該接続された複数の所望上記単位プロセス工程によって半導体ウエーハを順次処理することにより、種類が互いに異なる複数の上記半導体装置から選択された所望の半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 A
, H01L 21/02 Z
5F031MA23
, 5F031MA24
, 5F031MA26
, 5F031MA27
, 5F031MA28
, 5F031MA29
, 5F031MA31
, 5F031MA33
, 5F031PA02
