特許
J-GLOBAL ID：200903066606482490

発光デバイス

発明者：
田中 栄一郎

田中 栄一郎 について

, 
中村 哲朗

中村 哲朗 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264493
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103091
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 p-n接合を有する窒化物半導体よりなる発光チップの窒化物半導体層側を発光観測面とする構造の発光デバイスにおいて、その発光デバイスの外部量子効率を向上させると同時に、電極間又はp-n接合間のショートを防止し、更に静電気等の蓄積電荷による破壊を防ぐ。【解決手段】 サファイア基板1上に、p-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体2a、2bを積層した発光チップが、実装基板又はリードフレーム3に載置されてなる発光デバイスにおいて、サファイア基板1と実装基板又はリードフレーム3とを102〜1013Ω・cmの比抵抗を有する透明接着剤あるいは導電性粒子を含む接着剤4を介して接着する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上にp-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体を積層した発光チップが、実装基板又はリードフレーム上に載置されてなる発光デバイスにおいて、前記サファイア基板と前記実装基板又はリードフレームとが102〜1013Ω・cmの比抵抗を有する透明な接着剤を介して接着されていることを特徴とする発光デバイス。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/52 ,  H01S 3/18
FI (4件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N ,  H01L 21/52 E ,  H01S 3/18
引用特許：
出願人引用 (5件)
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