特許

J-GLOBAL ID：200903066633558414

半導体発光素子の製造方法

発明者： 吉武 春二 ,  古川 和由
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174138
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007389
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】透明基板の膜厚の差により発生するストレスを抑制し、発光素子部にクラックが発生することを防止する。【解決手段】GaAs基板11の表面をエピタキシャル成長させ、n型クラッド層14、活性層15、p型クラッド層16を形成する。次に、室温で、p型クラッド層16の表面にp型透明基板19を接着した後、GaAs基板11を除去する。次に、室温で、n型In0.5Ga0.5P13を介してn型クラッド層14の表面にn型透明基板20を接着する。その後、透明基板19及び20とクラッド層16、14を高温接着する。

請求項（抜粋）：

透明基板を接着する半導体発光素子の製造方法であって、発光素子部を透明基板で両側から挟み、これらを高温処理して接着することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 N

Fターム (14件)：

5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA12 ,  5F041DA43

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 面発光半導体デバイスの製造方法、この方法によって製造された面発光半導体デバイス及びこのデバイスを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-229383   出願人：キヤノン株式会社
• 光プリントヘッド及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-289713   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭61-182256