特許

J-GLOBAL ID：200903066634940770

光導波路装置及びその製造方法

発明者： 荒川 富行 ,  小野 英輝 ,  香月 陽一郎 ,  小柴 正則 ,  辻 寧英
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社 ,  小柴 正則 ,  辻 寧英
代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127227
公開番号（公開出願番号）：特開2002-323633
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 小型化が可能で、製造が容易な光導波路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SOI基板1の単結晶シリコン層4上にシリコン酸化膜5を堆積させ、この上にレジストパターン6aを形成し、これをマスクとしてシリコン酸化膜5を単結晶シリコン層4が現われるまでエッチング除去してシリコン酸化膜パターン5aを形成する。レジストパターン6a除去後、シリコン酸化膜パターン5aをマスクとして単結晶シリコン層4を下部クラッドとなる埋め込み酸化膜3が現われるまでエッチング除去して単結晶シリコン層からなるコアパターン4aを形成する。シリコン酸化膜パターン5a除去後、埋め込み酸化膜3及び単結晶シリコン層4上に上部クラッドとなるシリコン酸化膜7を堆積させる。

請求項（抜粋）：

基部と埋め込みシリコン酸化膜と単結晶シリコン層とをこの順に積層させた構造を持つSOI基板を有する光導波路装置において、上記SOI基板の単結晶シリコン層のパターンをコアとし、上記SOI基板の埋め込みシリコン酸化膜を下部クラッドとしたことを特徴とする光導波路装置。

IPC (3件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/122

FI (3件)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 B ,  G02B 6/12 F

Fターム (10件)：

2H047KA03 ,  2H047KA12 ,  2H047LA19 ,  2H047MA07 ,  2H047PA01 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047TA01 ,  2H047TA32 ,  2H047TA44

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光導波路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-194408   出願人：沖電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• ”IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS”, 199704, Vol.9,NO.4, p.473〜474
• ”APPLIED PHYSICS LETTERS”, 20000911, Vol.77,No.11, p.1617〜1619
• 「C-11-12 シリコン光導波路のFDTD法解析」
• 「C-11-12 シリコン光導波路のFDTD法解析」