特許
J-GLOBAL ID:200903066649294310
半導体装置およびその駆動方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-013272
公開番号(公開出願番号):特開2003-288049
出願日: 2003年01月22日
公開日(公表日): 2003年10月10日
要約:
【要約】【課題】 発光装置において、発光素子に電流を供給するTFTのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、発光装置の画質向上の足かせとなっていた。【解決手段】 容量手段108には、リセット用電源線110の電位に、TFT105のしきい値電圧分を加えた、もしくは減じた電位が保持され、TFT106のゲート電極には、映像信号に当該しきい値電圧を上乗せしたものが印加される。画素内のTFTは近接配置されており、特性ばらつきが生じにくい。これにより、TFT106のしきい値が画素ごとにばらついても、TFT105のしきい値で相殺され、所望のドレイン電流をEL素子109に供給することが出来る。
請求項(抜粋):
整流性素子と、容量手段と、スイッチング素子とを有し、前記整流性素子の第1の電極は、前記容量手段の第1の電極および、前記スイッチング素子の第1の電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
G09G 3/30
, G09G 3/20 611
, G09G 3/20 624
, G09G 3/20 641
, H01L 29/786
, H05B 33/14
FI (6件):
G09G 3/30 J
, G09G 3/20 611 H
, G09G 3/20 624 B
, G09G 3/20 641 D
, H05B 33/14 A
, H01L 29/78 614
Fターム (24件):
3K007AB17
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA04
, 5C080AA06
, 5C080BB05
, 5C080DD05
, 5C080FF11
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5C080JJ06
, 5C080KK07
, 5C080KK43
, 5C080KK47
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110NN72
, 5F110NN73
引用特許:
出願人引用 (7件)
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国際公開番号99-48403号パンフレット(P25、Fig3、Fig4)
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-290963
出願人:三菱電機株式会社
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特開昭63-086614
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審査官引用 (5件)
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