特許

J-GLOBAL ID：200903066656493956

エッチング方法

発明者： 清利 正弘 ,  江口 和弘 ,  山本 博之 ,  金田 直也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216142
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】BST膜の微細加工に有効なエッチング方法を実現すること。【解決手段】まず、Cl2 ガスを用いたRIEにより、コンタクトホール14となる部分のBST膜9中のTi元素のみを選択的に除去する。その結果、コンタクトホールとなる部分のBST膜9はBa-Sr-Cl-O膜13に変わる。次に希塩酸溶液を用いたウエットエッチングにより、Ba-Sr-Cl-O膜13を除去する。

請求項（抜粋）：

アルカリ土類金属を含む複合金属酸化物膜のエッチング方法であって、前記複合金属酸化物膜の構成元素のうち、前記アルカリ土類金属以外の少なくとも一つの構成元素をドライエッチングする工程と、このドライエッチングした複合金属酸化物膜をウエットエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 27/10 651

Fターム (24件)：

5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BA20 ,  5F004BB19 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB00 ,  5F004DB13 ,  5F004EA28 ,  5F004EA29 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA45 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR41

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-191379
  
• 高誘電薄膜製造法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264805   出願人：現代電子産業株式会社
• 強誘電体キャパシタ及び半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-181083   出願人：株式会社東芝