高誘電薄膜製造法及び製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264805
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134911
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】高誘電特性を有する良好な高誘電体薄膜を形成することができる高誘電体薄膜製造法及びその装置を提供すること。【解決手段】本発明は高誘電薄膜製造法及びその装置に関し、薄膜製造装置にRFパワーを印加してプラズマを励起させることにより、多元系の高誘電薄膜用反応原料等が蒸着反応に容易に参入できるよう物理的エネルギーで解離反応を助長し、プラズマを形成することにより解離した反応原料イオン等が非常に低い圧力の高温で蒸着反応を起こすことができるよう助長する工程条件を設け、反応原料等が熱化反応なく再現性良く反応炉に到るようにする方式で原料を供給し、高誘電薄膜用原料等の大部分が室温で固体や液体形態であることに伴いこれら反応原料が気化し供給される時、ガス管に残ることができる残留ガスを除去しながら高誘電薄膜を蒸着することにより高誘電特性の良好な高誘電薄膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

RFパワーを印加しプラズマを励起させることにより、多元系の高誘電特性を有する反応原料等が蒸着反応に容易に参入できるよう物理的エネルギーで解離反応を誘電する段階;前記励起したプラズマにより解離された反応原料イオン等が、低圧力の高温で蒸着反応を起こすことができるよう工程条件を設ける段階;前記反応原料等を熱化反応なく反応炉に到るよう円滑に供給する段階;前記反応炉内部でガス管に残留する気化した反応原料の残留ガスを除去しながら、高誘電薄膜を蒸着する段階を含み構成されることを特徴とする高誘電薄膜製造法。

IPC (6件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , C23C 16/50 , H01L 21/316 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 J , C23C 16/50 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (6件)

液体原料CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-329739 出願人：株式会社サムコインターナショナル研究所
半導体装置用誘電体の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-294797 出願人：株式会社日立製作所
誘電体膜の気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-038711 出願人：富士通株式会社

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