特許
J-GLOBAL ID：200903066658224448

ホトマスク、ホトマスクの製造方法、およびそのホトマスクを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
田中 稔彦

田中 稔彦 について

, 
中尾 修治

中尾 修治 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-341023
公開番号（公開出願番号）：特開2005-107195
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 本発明は、65nmノードにも適応できる実用解像度を有し、無欠陥かつ欠陥検査可能なホトマスクおよび半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 本転写を行なう本体パターンに対し露光光の位相が同相となりかつ露光光を減光するフィールドと、本体パターンのリム部分に露光光を透過させかつ本体パターン透過光とは逆位相となるリムパターンを持ったホトマスクすることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
フィールド部分が露光光を減光しパターン部分が露光光を透過するハーフトーン位相シフト型のホトマスクであって、 フィールド部分とパターン部分を透過する露光光の位相がほぼ同じ位相で、かつ前記パターン部分の外側に、かつ前記パターン部分に接して露光光を透過するリム部分が設けられ、前記リム部分を透過する露光光が前記フィールド部分および前記パターン部分を透過する露光光とほぼ逆の位相となっていることを特徴としたホトマスク。
IPC (3件)：
G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027
FI (6件)：
G03F1/08 A ,  G03F1/08 L ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 528 ,  H01L21/30 570
Fターム (9件)：
2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BC08 ,  2H095BC09 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 光露光用マスク
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-000176   出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (7件)
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