特許
J-GLOBAL ID：200903066687429644

金属ベース配線基板及びその基板を使った高周波装置

発明者：
宮 龍也

宮 龍也 について

, 
木村 和治

木村 和治 について


出願人/特許権者：
NEC化合物デバイス株式会社

NEC化合物デバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-359343
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072064
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】表面導体パターンが形成するストリップラインの絶縁層厚を薄くすることができ、全体の厚さが厚くならず、表面導体パターンに高周波的に強固なGND面を得ることができ、配線パターンのレイアウト自由度がある金属ベース配線基板及びその基板を使った高周波装置の提供。【解決手段】金属ベース1は彫り込み部2を有しており、彫り込み部2に絶縁物3が充填され、該絶縁物及び金属ベース表面に銅メッキが施され、所望のパターンがエッチングにより第1の導体パターン4が形成されている。片面銅箔基材6は彫り込み部も含めて金属ベース上面部全体と貼り合されている。片面銅箔基材6の銅箔はエッチングにより第2の導体パターン7が形成されおり、該導体パターン7とチップ部品8が接続している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属ベースの表面に部分的な彫り込み部を有し、その彫り込み部に絶縁物が充填され、充填された絶縁物の上に第1の導体パターンが形成されている、ことを特徴とする金属ベース配線基板。
IPC (4件)：
H05K1/05 ,  H01L23/12 ,  H05K1/11 ,  H05K3/46
FI (5件)：
H05K1/05 Z ,  H05K1/11 H ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 U ,  H01L23/12 E
Fターム (49件)：
5E315AA03 ,  5E315AA11 ,  5E315BB01 ,  5E315BB07 ,  5E315BB14 ,  5E315CC01 ,  5E315CC05 ,  5E315CC14 ,  5E315CC21 ,  5E315DD16 ,  5E315DD17 ,  5E315DD20 ,  5E315DD25 ,  5E315DD27 ,  5E315GG22 ,  5E317AA24 ,  5E317BB05 ,  5E317BB12 ,  5E317CC44 ,  5E317CD25 ,  5E317CD32 ,  5E317CD34 ,  5E317GG11 ,  5E346AA03 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346AA42 ,  5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346BB04 ,  5E346BB07 ,  5E346BB16 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346DD02 ,  5E346DD03 ,  5E346DD12 ,  5E346DD22 ,  5E346DD32 ,  5E346FF01 ,  5E346GG01 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG19 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH06 ,  5E346HH24
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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