薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文 , 岡本正之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-136526
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311404
出願日： 2006年05月16日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【解決課題】長時間の駆動においても安定な酸化物薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、活性層として少なくともホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(Mが、In,Fe,GaまたはAl原子であり、mが、1以上50未満の整数である。)を含むアモルファス酸化物半導体と、ソース電極と、ドレイン電極とを備えた薄膜電界効果トランジスタの製造方法であって、前記酸化物半導体を形成したのち、酸化性ガス雰囲気中において熱処理する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、活性層として少なくともホモロガス化合物 InMO3(ZnO)m(Mが、In,Fe,GaまたはAl原子であり、mが、1以上50未満の整数である。)を含むアモルファス酸化物半導体と、ソース電極と、ドレイン電極とを備えた薄膜電界効果トランジスタの製造方法であって、前記酸化物半導体を形成したのち、酸化性ガス雰囲気中において熱処理する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

Fターム (29件)：

5F110AA14 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (2件)

酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-228168 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325369 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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