ソレノイド駆動用のスイッチング素子の保護方法及び保護回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-076387
公開番号（公開出願番号）：特開2003-284238
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】体格及びコストの面で不利なコイルを使用せずに、ソレノイドのショート時にソレノイド駆動用のスイッチング素子に過大な電流が流れるのを防止する保護回路を提供する。【解決手段】スイッチング素子13はソレノイド14と直列に接続されるとともに、駆動回路16により駆動されてバッテリ12からソレノイド14への電力供給を制御する。検出回路18はソレノイド14に流れる過電流をシャント抵抗Rsを用いて検出する。検出回路18から過電流検出信号が出力されると、駆動回路16の駆動が停止される。ソレノイド14と検出回路18との間に電圧駆動素子17としてのMOSFETが直列に接続され、そのゲートに所定のバイアス電圧Vcが印加されている。

請求項（抜粋）：

ソレノイドがショートした際にソレノイドに流れる過電流を検出して過電流検出信号を出力する検出回路を備え、該検出回路の過電流検出信号に基づいて、ソレノイド駆動用の電源からソレノイドへの電力供給を制御するスイッチング素子の駆動回路の駆動を停止させるソレノイド駆動用のスイッチング素子の保護方法であって、前記ソレノイドと前記検出回路との間に、電圧駆動素子を直列に接続し、ソレノイドのショート時に前記電圧駆動素子を流れる電流値の増加を所定の値以下に抑制するソレノイド駆動用のスイッチング素子の保護方法。

IPC (5件)：

H02H 7/20 , H02H 9/02 , H03K 17/08 , H03K 17/695 , G05F 1/10 304

FI (5件)：

H02H 7/20 D , H02H 9/02 E , H03K 17/08 C , G05F 1/10 304 M , H03K 17/687 B

Fターム (54件)：

5G013AA02 , 5G013AA12 , 5G013BA01 , 5G013CA07 , 5G013CA10 , 5G053AA01 , 5G053AA02 , 5G053BA01 , 5G053CA02 , 5G053CA07 , 5G053EA06 , 5G053EB02 , 5G053EC03 , 5G053FA04 , 5G053FA05 , 5H410BB01 , 5H410BB05 , 5H410CC02 , 5H410DD02 , 5H410DD06 , 5H410EA11 , 5H410EA32 , 5H410EA38 , 5H410EA39 , 5H410EB09 , 5H410FF05 , 5H410FF25 , 5H410LL06 , 5H410LL13 , 5H410LL20 , 5J055AX32 , 5J055AX64 , 5J055BX16 , 5J055CX13 , 5J055DX09 , 5J055DX13 , 5J055DX14 , 5J055DX22 , 5J055DX54 , 5J055EX02 , 5J055EY01 , 5J055EY05 , 5J055EY10 , 5J055EY12 , 5J055EY13 , 5J055EY21 , 5J055EZ25 , 5J055EZ43 , 5J055EZ57 , 5J055FX04 , 5J055FX32 , 5J055GX01 , 5J055GX04 , 5J055GX06

引用特許：

出願人引用 (4件)

電流制限機能付き半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-259786 出願人：株式会社日立製作所, 日立エンジニアリング株式会社
特開平1-220915
駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-205358 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (4件)

電流制限機能付き半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-259786 出願人：株式会社日立製作所, 日立エンジニアリング株式会社
特開平1-220915
駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-205358 出願人：株式会社日立製作所

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