特許

J-GLOBAL ID：200903066716931664

垂直ゲ-ト側壁を有する電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： ダイアン・シー・ボイド ,  スチュアート・エム・バーンズ ,  フセイン・アイ・ハナフィー ,  ユアン・タウル ,  ウィリアム・シー・ウィル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031111
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317524
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 垂直な側壁を有するゲート電極と正確に規定されたチャネル長を有する小型のMOSFETを提供する。【解決手段】 薄いゲート酸化物はチャネル領域27上に位置し、垂直側壁26を有するゲート導体23はゲート酸化物上に位置する。ソース領域22とチャネル領域27との境界面29と、ドレイン領域24とチャネル領域27との境界面29は接合されていない。

請求項（抜粋）：

チャネル領域に隣接するドレイン領域およびソース領域と、チャネル領域上に位置する薄いゲート酸化物と、ゲート酸化物上に位置するゲート導体とを備え、ゲート導体が垂直側壁、およびソース領域とチャネル領域との接合部を有し、ドレイン領域とチャネル領域とは接合されていない、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/302 A ,  H01L 27/08 321 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-000533   出願人：日本電気株式会社
• 垂直側壁を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-088274   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-132967   出願人：松下電器産業株式会社
• MOS型半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-301972   出願人：株式会社リコー