特許
J-GLOBAL ID：200903024354121745

垂直側壁を形成する方法

発明者：
ヤング・フーン・リー

ヤング・フーン・リー について

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キース・レイモンド・ミルコブ

キース・レイモンド・ミルコブ について

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ジョン・ウィリアム・スタイブリッツ,ジュニア

ジョン・ウィリアム・スタイブリッツ,ジュニア について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション について


代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-088274
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306672
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【課題】 ポリシリコン・ゲートの垂直側壁を得るための、シリコンのエッチング方法を提供する。【解決手段】 HBr,Cl2 ,O2 の雰囲気、続いて、HBr,O2 の雰囲気内で、パターニングされた酸化物層52を介して、反応性イオン・エッチングする第1および第2の工程と、その場で第1のエッチング工程を停止する工程と、第2のエッチング工程を続ける前に、ほぼすべてのCl2 を除去する工程とを含んでいる。本発明は、シリコンを同時にエッチングして、ゲート酸化物22上で停止しながら、0.25ミクロン以下のゲート長および側壁を形成する間に、CMOSトランジスタ論理回路のためのn+ およびp+ シリコン・ゲートの一様なエッチングを達成する。
請求項（抜粋）：
誘電体層上に設けられたシリコン層に垂直側壁を形成する方法において、HBr,Cl2 ,O2 を含む雰囲気内において、50mTorr以下の圧力で、パターニングされた酸化物層によって露出された前記シリコン層を第1の反応性イオン・エッチングする工程を含み、この工程中に、エッチングされた前記シリコン層の側壁は酸化し、前記誘電体層上の所定距離において、前記シリコン層の前記第1の反応性イオン・エッチング工程を停止する工程と、前記雰囲気から実質的にすべてのCl2 を除去する工程と、50mTorr以下の圧力で、前記誘電体層まで、前記パターニングされた酸化物層によって露出された前記シリコン層を第2の反応性イオン・エッチングする工程と、を含むことを特徴とする方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/302 F ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 617 Z
引用特許：
審査官引用 (5件)
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