窒化ガリウム系化合物半導体チップ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-279386
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163405
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】優れた発光性能を有し、歩留良く所望の形、サイズに切断することができる窒化ガリウム系化合物半導体チップを提供する。【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層上面の他に第1表面と第2表面とを有し、第1表面は、p型窒化ガリウム系半導体層上面の外側に位置するp型窒化ガリウム系半導体層を、n型窒化ガリウム系半導体層までエッチングすることにより形成され、かつ第2表面は、第1表面の外側に位置する上記n型窒化ガリウム系半導体層をエッチングまたはダイシングすることにより上記基板表面が露出するように形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上にn型窒化ガリウム系化合物半導体層を介してp型窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されたpn接合面を有する窒化ガリウム系化合物半導体チップであって、上記窒化ガリウム系化合物半導体チップは、p電極が形成される上記p型窒化ガリウム系化合物半導体層上面の他に第1表面と第2表面とを有し、上記第1表面は、上記p型窒化ガリウム系半導体層上面の外側に位置するp型窒化ガリウム系半導体層を、上記n型窒化ガリウム系半導体層までエッチングすることにより形成され、かつ上記第2表面は、上記第1表面の外側に位置する上記n型窒化ガリウム系半導体層をエッチングまたはダイシングすることにより上記基板表面が露出するように形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップ。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/301

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/78 L , H01L 21/78 Q , H01L 21/78 S

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-108779
特開平3-094482
特開平4-242985

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