半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126103
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335982
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】放熱性に優れ、小型化が容易な半導体レーザー装置が、安価に製造される。【構成】リードフレーム301上に配置された半導体レーザー素子302と、該半導体レーザー素子302を被覆する液状樹脂304と、該液状樹脂304の表面を硬化させてなる表面硬化層305とを備えてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基材上に配置された半導体素子と、該半導体素子を被覆する液状樹脂と、該液状樹脂の表面を硬化させてなる表面硬化層とを備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01S 3/18 , H01L 21/56 , H01L 23/28 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01S 3/043

FI (2件)：

H01L 23/30 B , H01S 3/04 S

引用特許：

審査官引用 (7件)

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