半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186155
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029569
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】スタック型のキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法に関し、キャパシタの蓄積電極の薄膜化を図ることを目的とする。【構成】キャパシタの蓄積電極を形成するために成長される半導体膜を非晶質とすることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

成膜当初から多結晶である半導体膜よりもグレーンサイズが大きな多結晶の半導体膜(15, 18)よりなる第一の電極(20)と、該第一の電極(20)の表面に形成された誘電体膜(23)と、該誘電体膜(23)を覆う第二の電極(24)とを備えたスタック型キャパシタを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

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