特許
J-GLOBAL ID:200903066806134810
材料の高密度酸化法及びデバイス
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西村 教光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-243997
公開番号(公開出願番号):特開2009-072694
出願日: 2007年09月20日
公開日(公表日): 2009年04月09日
要約:
【課題】従来困難とされてきた高品質の酸化物を低温域の条件下で位置選択的乃至は空間選択的に形成できる手法を確立する。【解決手段】波長190nm以下の光3を、マスク2を被覆した被酸化固体材料1に対して照射する。そして、被酸化固体材料1の露光した部分に、高品質の酸化物4に改質する。また、光3を集光レンズ5を介して被酸化固体材料1に集光照射することで、被酸化固体材料1に対して酸化物4を位置選択的に形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
波長190nm以下の光を被酸化固体材料に照射し、該光を照射した部分に酸化物を形成することを特徴とする材料の高密度酸化法。
IPC (3件):
B01J 19/12
, C01B 13/32
, C01F 7/02
FI (3件):
B01J19/12 B
, C01B13/32
, C01F7/02 A
Fターム (20件):
4G042DA01
, 4G042DB08
, 4G042DB15
, 4G042DB38
, 4G042DC03
, 4G042DD02
, 4G042DE12
, 4G075AA13
, 4G075AA23
, 4G075AA24
, 4G075BA06
, 4G075CA36
, 4G075EB34
, 4G076AA02
, 4G076AB16
, 4G076BA01
, 4G076BC10
, 4G076BG05
, 4G076CA10
, 4G076DA30
引用特許: