特許
J-GLOBAL ID：200903002693631406
紫外光照射による酸化物半導体薄膜の作製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-085867
公開番号（公開出願番号）：特開2005-272189
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 簡易な操作により、基材の特定部位に、導電性または光触媒機能を有する金属酸化物薄膜を形成することのできる技術を提供する。【解決手段】 所望の金属酸化物の前駆体となる金属有機化合物を有機溶媒中に分散し、該金属有機化合物分散溶液に浸漬した基材に紫外領域のレーザー光(好ましくは300nm以上の長波長の紫外光レーザー)を照射することにより、該基材の光照射部位に前記金属酸化物の薄膜を生成する。酸化インジウム、酸化スズまたは酸化チタンなどの薄膜の作製に適している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所望の金属酸化物の前駆体となる金属有機化合物を有機溶媒中に分散し、該金属有機化合物分散溶液に浸漬した基材に紫外領域のレーザー光を照射することにより、該基材の光照射部位に前記金属酸化物の薄膜を生成する工程を含むことを特徴とする、金属酸化物薄膜の作製方法。
IPC (3件)：
C01B13/32
, B01J35/02
, C01G15/00
C01B13/32
, B01J35/02 J
, C01G15/00 B
4G042DA01
, 4G042DB15
, 4G042DC01
, 4G042DD02
, 4G042DE07
, 4G042DE14
, 4G069AA02
, 4G069AA08
, 4G069BA04B
, 4G069BA48A
, 4G069BB04A
, 4G069BB04B
, 4G069BC18A
, 4G069BC18B
, 4G069BC22A
, 4G069CA01
, 4G069CA10
, 4G069EA07
, 4G069FA03
, 4G069FB58
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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