特許

J-GLOBAL ID：200903066810168559

シリコンウェハーの接着構造およびその接着方法

発明者： デリル ディー.ジェイ.オールマン
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ グローバル インフォメーション ソルーションズ インターナショナル インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 西山 善章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168507
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153929
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、集積回路の製造工程において必要とされる高温度耐性があり、接着構造の優れたシリコンウェハーを提供するものである。【構成】 シリコンウェハーの構成要素として、第一、第二の半導体ウェハーとこのウェハーにはさみこまれた架橋シロキサン重合体層を有する。その接着方法は、シリコン基板上にトランジスターを配し、この基板に対し液体スピン・オン・グラス(SOG)層を形成し、このSOG層にシリコンウェハーを付着しSOG層を硬化させるものである。

請求項（抜粋）：

a)第一、第二の半導体ウェハーと、b)該第一、第二の半導体ウェハーにはさみこまれた架橋シロキサン重合体層を有することを特徴とするシリコンウェハーの接着構造。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 積層型半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211055   出願人：セイコー電子工業株式会社
• シリカ基材非反射性平面化層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-261270   出願人：エヌ・シー・アール・コーポレイシヨン
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215597   出願人：セイコー電子工業株式会社
• 特開平4-180675
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "SOI BY WAFER BONDING WIRH SPIN-ON GLASS AS ADHESIVE"