シリコンウェハーの接着構造およびその接着方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西山善章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168507
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153929
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】本発明は、集積回路の製造工程において必要とされる高温度耐性があり、接着構造の優れたシリコンウェハーを提供するものである。【構成】シリコンウェハーの構成要素として、第一、第二の半導体ウェハーとこのウェハーにはさみこまれた架橋シロキサン重合体層を有する。その接着方法は、シリコン基板上にトランジスターを配し、この基板に対し液体スピン・オン・グラス(SOG)層を形成し、このSOG層にシリコンウェハーを付着しSOG層を硬化させるものである。

請求項（抜粋）：