特許
J-GLOBAL ID：200903066827358530
半導体発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176795
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007399
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 発光層から発光された光を効率良く外部へ取り出すことが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 活性層106から発生した光のうち、図中下方へ向かって進む光が、反射層として作用する電極103によって反射され、上方へ向かって進行して外部へ放射される。ここで、電極103は金属から成るので、入射角度にかかわらず光をほぼ全反射し、高い効率で光を取り出すことを可能にする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に金属材料を用いて形成され、光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、発光する発光層と、前記発光層上に形成され、透光性を有する透光性電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (12件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
