特許
J-GLOBAL ID：200903085530224067

エピタキシャルオーミックコンタクトを含む▲II▼-▲VI▼族半導体材料の集積ヘテロ構造およびその製造方法

発明者：
シェツィナ,ジャン,フレデリック

シェツィナ,ジャン,フレデリック について


出願人/特許権者：
ノース カロライナ ステート ユニバーシティ

ノース カロライナ ステート ユニバーシティ について


代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-503649
公開番号（公開出願番号）：特表平11-505066
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】II-VI族半導体デバイス中のp形セレン化亜鉛(ZnSe)層に対するオーミックコンタクトは、セレン化亜鉛層上のセレン化亜鉛水銀(ZnxHg1-xSe)層またはテルル化セレン化亜鉛(ZnTexSe1-x)層と、セレン化亜鉛水銀またはテルル化セレン化水銀上のセレン化水銀(HgSe)層と、セレン化水銀上の導体(金属など)層を含む。p形セレン化亜鉛層および導体層の間のセレン化亜鉛水銀またはテルル化セレン化亜鉛とセレン化水銀層とは、セレン化亜鉛および導体のワイドバンドギャップ間のバンドオフセットの除去により、オーミックコンタクトを与える。セレン化亜鉛水銀またはテルル化セレン化亜鉛は、ステップグレーデッド、直線状グレーデッド、および放物線状グレーデッド形の層であってもよい。本発明のオーミックコンタクトは、ほぼ理想的な電圧-電流関係を形成し、その結果、高効率II-VI族オプトエレクトロニクスデバイスが得られる。集積ヘテロ構造は、II-VI族デバイス上のオーミックコンタクトをエピタキシャルに堆積することにより作製される。除去可能なオーバーコート層をII-VI族デバイス上に形成し、このデバイスをオーミックコンタクトの堆積のために亜鉛系堆積チャンバから水銀系堆積チャンバに、室温大気圧下で搬送できるようにしてもよい。また、集積ヘテロ構造は、第1の基板上のエピタキシャルオーミックコンタクトを含む発光ヘテロ構造を形成し、このオーミックコンタクトを第2の基板に結合し、次いで第1の基板を除去することによって作製してもよい。
請求項（抜粋）：
II-VI族化合物半導体材料から形成されp形セレン化亜鉛(ZnSe)もしくはそのアロイの層を含む半導体デバイスのオーミックコンタクトであって、 前記p形ZnSeもしくはそのアロイの層上のセレン化水銀亜鉛(Zn<SB>x</SB>Hg<SB>1-x</SB>Se)層またはテルル化セレン化亜鉛(ZnTe<SB>x</SB>Se<SB>1-x</SB>)層で、0<x<1の層と、 前記Zn<SB>x</SB>Hg<SB>1-x</SB>SeまたはZnTe<SB>x</SB>Se<SB>1-x</SB>の層上のセレン化水銀(HgSe)層と、 前記HgSe層上の導体層とを含むオーミックコンタクト。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/43
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 29/46 B
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • ZnSe層上にオーム接点を設ける方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-105567   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-004809   出願人：三菱化成株式会社, 三菱化成ポリテック株式会社
審査官引用 (1件)

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