特許

J-GLOBAL ID：200903066879414349

半導体装置及びその製造方法

発明者： 角田 浩司 ,  佐藤 章 ,  鈴木 寿哉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077222
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273247
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 密着性改善層を用いることなくサポート構造を有するシリンダ型キャパシタを作製することで、製造工程の工程数を削減し、基板と下部電極(第1の電極)とのコンタクト不良及びシリンダ倒れを防止し、歩留まりを向上させることを課題とする。【解決手段】 ホールを有するサポート膜を形成する工程と、サポート膜のホールにシリンダ形状の白金族の第1の電極を形成する工程と、第1の電極及びサポート膜の界面において化学的反応により反応層を形成する工程と、第1の電極上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に導電性の第2の電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。

請求項（抜粋）：

シリンダ形状の白金族の第1の電極と、前記第1の電極の周囲をサポートするサポート膜と、前記第1の電極及び前記サポート膜の界面又はその上において化学的反応により形成される反応層と、前記第1の電極上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される導電性の第2の電極とを有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (17件)：

5F083AD24 ,  5F083AD49 ,  5F083AD56 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-104361   出願人：富士通株式会社, 株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090770   出願人：株式会社東芝
• キャパシタの電極製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-368608   出願人：三星電子株式会社