半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-104361
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291844
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】集積度が高く、低価格で高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】第1領域MCとその周囲の第2領域PCを含む基板1と、第2領域PC上に形成される絶縁膜21と、第1領域MC内の基板1表面上に形成される電極(17,23)と、電極(17,23)上に形成される誘電体膜31と、誘電体膜31上に形成される対向電極35とを有し、絶縁膜21の側壁の形状が、対向する電極(17,23)の側壁の外周形状を反映した部分を含む。

請求項（抜粋）：

第1領域とその周囲の第2領域を含む基板と、前記第2領域上に形成される絶縁膜と、前記第1領域内の前記基板表面上に形成される電極と、前記電極上に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成される対向電極とを有し、前記絶縁膜の側壁の形状が、対向する前記電極の側壁の外周形状を反映した部分を含むキャパシタ装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 681 F

Fターム (22件)：

5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083GA28 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA53 , 5F083MA02 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR21 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083ZA06

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-037691 出願人：株式会社日立製作所
半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-177867 出願人：日本電気株式会社
特開平4-025169

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