半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363878
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188331
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】有機絶縁膜を用いた際のダメージを抑制でき、大気中からの有機絶縁膜への水分の浸入および有機絶縁膜から配線材料への水分の浸入を抑制できるとともに、より簡便に有機絶縁膜を用いたダマシンプロセスを実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に有機絶縁膜2を形成し、その上に表面改質層10を形成し、表面改質層10上にリソグラフィー法によりレジストパターン3を形成する。レジストパターン3をマスクとしてエッチング法により表面改質層10をエッチングし、酸素を含んだプラズマにより表面改質層10をエッチングストッパとして有機絶縁膜2を除去しパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に有機絶縁膜を形成する第1の工程と、前記有機絶縁膜上に表面改質層を形成する第2の工程と、前記表面改質層上にリソグラフィー法によりレジストパターンを形成する第3の工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチング法により上記表面改質層をエッチングする第4の工程と、酸素を含んだプラズマにより前記表面改質層をエッチングストッパとして前記有機絶縁膜を除去しパターンを形成する第5の工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065 , H01L 21/312

FI (3件)：

H01L 21/90 S , H01L 21/312 M , H01L 21/302 F

Fターム (42件)：

5F004AA06 , 5F004AA11 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB23 , 5F004EA04 , 5F004EA06 , 5F004EA23 , 5F004EB02 , 5F033HH11 , 5F033JJ11 , 5F033KK01 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033QQ00 , 5F033QQ11 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033TT03 , 5F033TT04 , 5F033XX00 , 5F033XX18 , 5F058AC06 , 5F058AD02 , 5F058AD04 , 5F058AD05 , 5F058AD07 , 5F058AD08 , 5F058AD10 , 5F058AE05 , 5F058AF04 , 5F058AG04 , 5F058AG08 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-109330
金属バイア形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049993 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267381 出願人：シャープ株式会社

全件表示

前のページに戻る