特許

J-GLOBAL ID：200903066910498173

珪素脱離方法及びシリコンウェーハの不純物分析方法

発明者： 大西 理 ,  佐藤 正和
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169843
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368052
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】操作及び薬液自身に起因する不純物汚染の影響を受けることなく、分析機器に投入する前に珪素含有溶液から低汚染で簡単に珪素を脱離させることができる方法、及びこの珪素脱離方法を適用することにより分析感度を向上させ高感度で安定した分析が行えるようにしたシリコンウェーハの不純物分析方法を提供する。【解決手段】珪素含有溶液から珪素を脱離する方法であって、珪素含有溶液と弗化水素水及び硝酸を含有した脱離溶液とを同一密閉容器内に配置し各溶液を所定時間加熱することにより該珪素含有溶液中の珪素を脱離するようにした。

請求項（抜粋）：

珪素含有溶液から珪素を脱離する方法であって、珪素含有溶液と弗化水素水及び硝酸を含有した脱離溶液とを同一密閉容器内に配置し各溶液を所定時間加熱することにより該珪素含有溶液中の珪素を脱離することを特徴とする珪素脱離方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  C01B 33/02 ,  G01N 1/04

FI (3件)：

H01L 21/66 L ,  C01B 33/02 Z ,  G01N 1/04 V

Fターム (26件)：

2G052AA13 ,  2G052AB26 ,  2G052AC13 ,  2G052AD12 ,  2G052AD26 ,  2G052AD46 ,  2G052CA04 ,  2G052EB01 ,  2G052EB11 ,  2G052FD18 ,  2G052GA15 ,  2G052JA09 ,  4G072AA01 ,  4G072EE02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ18 ,  4G072MM23 ,  4G072RR07 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA12 ,  4M106CA29 ,  4M106DH01 ,  4M106DH56 ,  4M106DH60

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体試料の分解装置および試料分解方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-247411   出願人：株式会社東芝
• シリコンウエーハ表面のエッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-160001   出願人：信越半導体株式会社
• シリコンウエーハ表面金属不純物の分析方法およびその前処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-100348   出願人：信越半導体株式会社