基板の処理方法及び基板の処理システム

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金本哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-108858
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017402
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】いわゆる一筆書きの要領で,高粘度の塗布液を用いてウェハの塗布処理を行った場合でも,塗布膜の膜厚の面内均一性を確保する。【解決手段】塗布現像処理システムに,吐出ノズルとウェハWを相対的に移動させる移動機構を備えたレジスト塗布装置と,ウェハWを所定の溶剤雰囲気に曝す溶剤雰囲気装置33と,ウェハWを減圧乾燥させる減圧乾燥装置とを設ける。溶剤雰囲気装置33には,処理室S内に所定濃度の溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給機構115を設ける。減圧乾燥装置には,容器内を減圧させる減圧機構と,減圧時に発生する気流の方向を制御する整流板とを設ける。いわゆる一筆書きの要領で高粘度のレジスト液が塗布されたウェハWを,溶剤雰囲気装置33で溶剤蒸気に曝し,ウェハWのレジスト膜表層を軟化して,減圧乾燥の際に発生する気流によってレジスト膜を平坦化する。

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理方法であって,塗布液吐出部と基板を相対的に移動させながら,前記塗布液吐出部から基板上に塗布液を吐出し,基板表面に塗布液を塗布する工程と,その後,当該基板を前記塗布液の溶剤雰囲気に曝す工程と,その後,基板が収容された容器内を減圧する工程とを有することを特徴とする,基板の処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , B05C 9/12 , B05C 11/08 , B05D 1/40 , B05D 3/12 , G03F 7/16 501

FI (6件)：

B05C 9/12 , B05C 11/08 , B05D 1/40 A , B05D 3/12 A , G03F 7/16 501 , H01L 21/30 564 Z

Fターム (24件)：

2H025AA18 , 2H025AB16 , 2H025EA04 , 4D075AC64 , 4D075BB56Z , 4D075BB69Z , 4D075CA47 , 4D075DA06 , 4D075DB13 , 4D075DB14 , 4D075DC22 , 4D075EA07 , 4D075EA45 , 4F042AA02 , 4F042AA07 , 4F042AB00 , 4F042EB05 , 4F042EB09 , 4F042EB13 , 4F042EB18 , 4F042EB24 , 4F042EB25 , 5F046JA24 , 5F046JA27

引用特許：

審査官引用 (3件)

塗膜の処理方法及び処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-098442 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板処理方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-079216 出願人：東京エレクトロン株式会社
レジスト塗布装置,レジスト塗布方法,レジスト現像装置及びレジスト現像方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-240791 出願人：松下電子工業株式会社

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