特許
J-GLOBAL ID：200903066920915473
セラミックス回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275605
公開番号（公開出願番号）：特開2007-084387
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 セラミックス基板に対して高精度でしかも高い固着強度で導電パターンからなる回路要素を形成することができ、しかも電気的特性にも優れた、セラミックス回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラスを含有してなるセラミックス基板2又はその前駆体基板7からなる基体3上に樹脂製の受容層9を形成する工程と、受容層9上に導電粒子と分散媒とを含有したインク10を配して回路要素前駆体11(13)を形成する工程と、受容層9及び回路要素前駆体11(13)を加熱処理し、受容層9を燃焼させて基体3上から除去すると共に、回路要素前駆体11(13)を焼結して回路要素5とする工程と、を備えたセラミックス回路基板の製造方法である。受容層9及び回路要素前駆体11(13)を加熱処理する工程では、その加熱温度を、基体3中に含まれるガラスの軟化点以上とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ガラスを含有してなるセラミックス基板又はその前駆体基板からなる基体上に樹脂製の受容層を形成する工程と、
前記受容層上に導電粒子と分散媒とを含有してなるインクを配して回路要素前駆体を形成する工程と、
前記受容層及び回路要素前駆体を加熱処理し、前記受容層を燃焼により消失させて前記基体上から除去するとともに、回路要素前駆体を焼結して回路要素とする工程と、を備え、
前記受容層及び回路要素前駆体を加熱処理する工程では、その加熱温度を、前記基体中に含まれるガラスの軟化点以上とすることを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
IPC (4件)：
C04B 41/88
, H05K 3/10
, H05K 3/12
, H01L 23/12
C04B41/88 P
, H05K3/10 D
, H05K3/12 610H
, H05K3/12 610M
, H01L23/12 D
5E343AA02
, 5E343AA24
, 5E343BB15
, 5E343BB23
, 5E343BB25
, 5E343BB48
, 5E343BB49
, 5E343BB72
, 5E343DD17
, 5E343EE32
, 5E343EE40
, 5E343ER33
, 5E343ER39
, 5E343ER47
, 5E343GG02
, 5E343GG08
