特許
J-GLOBAL ID：200903066926705322

表示装置

発明者：
田中 泰三

田中 泰三 について

, 
高田 健司

高田 健司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013431
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203080
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】TFTを用いた有機EL素子は、従来の有機EL素子構造とは逆にEL材料を積層する必要があり、かつ、有機EL素子の陰極はTFTのソース・ドレイン電極のみにマスクを設置して形成しなければならず、微細パターンの加工限界により、目的とする領域以外にも陰極材料を成膜され、ショートの要因となる。又、陰極材料として用いられているリチウムや銀などはその原子が小さいゆえに成膜中もしくは成膜後に拡散してしまい、TFTの特性を著しく貶めてしまう。【解決手段】有機EL素子の電子注入電極を絶縁性電子注入電極113とすることで微細なマスク成膜を行うことなしに、基板101全面に絶縁性材料の成膜が可能となり、又、絶縁性電子注入電極113を陰極材料とすることで成膜中もしくは成膜後の拡散が抑制され、TFTの誤動作やショートを低減化できる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極、保護絶縁膜がそれぞれ形成されることにより得られる薄膜トランジスタと、前記保護絶縁膜を含む前記基板の表面を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜及び前記保護絶縁膜を貫通し、前記ソース・ドレイン電極表面に達するコンタクトホールと、前記コンタクトホールを充填する金属及び前記金属を含む前記平坦化膜上に設けられた電子注入層を陰極として含む有機エレクトロルミネッセンス素子とからなる表示装置であって、前記電子注入層が、絶縁性電子注入層であることを特徴とする表示装置。
IPC (5件)：
H05B 33/22 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (5件)：
H05B 33/22 A ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 C ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (21件)：
3K007AB00 ,  3K007AB05 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CA03 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094EB05 ,  5C094HA08
引用特許：
審査官引用 (9件)
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