特許
J-GLOBAL ID:200903066928256070
特に結晶層を堆積する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
小島 高城郎
, 河合 典子
, 佐藤 卓也
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-553544
公開番号(公開出願番号):特表2004-522680
出願日: 2001年12月01日
公開日(公表日): 2004年07月29日
要約:
【課題】特に結晶層を堆積する方法を提供する。【解決手段】水冷壁部(2)を有する反応器ハウジングのプロセス室(1)における特に結晶性基体上に特に結晶層を堆積する方法と装置を提供する。プロセス室(1)の床部(3)が加熱される。プロセスガスとしての少なくとも一種の反応ガスとキャリアガスとしての水素がプロセス室に中央から導入され、プロセス室(1)を囲むガス排気リング(5)により抽出される。フラッシュガス(7)が反応器(6)のカバーとプロセス室(4)のカバーの間を流れる。このフラッシュガスおよび、反応器壁部(2)とガス排気リング(5)の間の領域(12)を洗浄するフラッシュガス(8)が、反応器(4)のカバーとプロセス室(1)を装填するために降下出来るガス排気リング(5)の間のギャップ(9)を介してプロセス室(1)の外部領域(1’)に導入され、これによりガス排気リング(54)の開口(11)を通してプロセスガス(10)と共に吸出される。反応器壁部(2)とガス排気リング(5)の間の領域(12)を洗浄するガスは窒素あるいは水素と窒素との混合ガスである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
水冷壁(2)を有する反応器ハウジングのプロセス室(1)における特に結晶基体に特に結晶層を堆積する方法であって、プロセス室(1)の基部(3)が加熱され、一種以上の反応ガスがキャリアガスとしての水素と共に処理ガスとしてプロセス室(1)内に中央から導入され、そしてプロセス室(1)を囲むガス吐出口リング(5)を通して吐出され、パージガス(7)が反応器カバー(6)とプロセス室天井(4)の間を流れ、このパージガス(7)は、開口(11)を通してプロセスガス(10)と共にガス吐出口リング(54)内に吸引されるために、プロセス室(1)の外部領域(1’)内に、反応器壁部(2)とプロセス室(1)の装填を許容するように降下させることが出来るガス吐出口リング(5)の間のスペース(12)をパージするパージガス(8)と共に、反応器天井(4)とガス吐出口リング(5)の間のギャップ(9)を通して流され、反応器壁部(2)とガス吐出口リング(5)の間のスペース(12)をパージするガスは窒素または水素と窒素の混合ガスである方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (11件):
4G077AA03
, 4G077DB01
, 4G077EG21
, 4G077TH06
, 4K030BB02
, 4K030EA03
, 4K030EA04
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030KA00
, 4K030KA22
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開昭64-051395
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特開平1-278498
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特開平2-157189
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