高減衰バッキングを備えたIC取り付けセンサを実装する装置及び方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-542101
公開番号（公開出願番号）：特表2007-513563
出願日： 2004年12月01日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

本開示の実施形態によれば、超音波トランスデューサプローブは、減衰バッキング基板、集積回路、及び圧電素子のアレイを含む。集積回路は減衰バッキング基板に結合し、当該集積回路は音波を透過させる。圧電素子のアレイは集積回路に結合し、当該圧電素子のアレイは、音響整合層をアレイの第1表面に配置させる。

請求項（抜粋）：

超音波トランスデューサプローブであって: 減衰バッキング基板; 該減衰バッキング基板に結合した集積回路であり、音波を透過させる集積回路;及び該集積回路に結合した圧電素子のアレイであり;音響整合層を当該アレイの第1表面に配置させた圧電素子のアレイ、を有する、ところの超音波トランスデューサプローブ。

IPC (2件)：

H04R 17/00 , A61B 8/00

FI (4件)：

H04R17/00 330J , H04R17/00 332A , H04R17/00 330G , A61B8/00

Fターム (19件)：

4C601EE01 , 4C601EE09 , 4C601GA03 , 4C601GB04 , 4C601GB06 , 4C601GB20 , 4C601GB21 , 4C601GB22 , 4C601GB26 , 4C601GB30 , 4C601GB41 , 4C601GB45 , 4C601GB47 , 5D019AA26 , 5D019BB19 , 5D019EE02 , 5D019FF04 , 5D019GG01 , 5D019GG06

引用特許：

審査官引用 (6件)

二次元音響アレイ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-001787 出願人：アキューソンコーポレイション
特開昭59-225045
特開平3-274899

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