基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-000651
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197373
出願日： 2004年01月05日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】降温速度を向上させ、ウエハ間およびウエハ面内の温度差を抑制する。【解決手段】アウタチューブとインナチューブとを有しウエハ1を処理する処理室を構成したプロセスチューブと、プロセスチューブの内部を加熱するヒータユニットと、ボートエレベータによって昇降されて処理室を開閉するシールキャップ29と、シールキャップ29の上に立脚されたボート30とを備えているCVD装置において、シールキャップ29のボート30の外側には長いノズル66と短いノズル67とが立脚されており、各ノズル66、67には噴射口66a、67aが複数個、窒素ガスをウエハ1群の方向に噴射するように開設されている。ボートアンローディング時に、窒素ガスをノズルから吹き出してウエハ群に直接的に吹き付けることにより、ウエハ群を急速、かつ、均一に降温できる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板を基板保持体に保持して処理する処理室と、この処理室周りに設置され前記基板を加熱するヒータユニットと、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給管と、前記処理室を排気する排気管と、前記基板保持体を保持したシールキャップを昇降させるエレベータと、前記シールキャップと共に昇降し前記基板に冷却ガスを噴射する冷却ガスノズルと、この冷却ガスノズルの下降する際の噴射を制御するガス流量制御部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L21/205 , H01L21/22 , H01L21/26 , H01L21/324

FI (4件)：

H01L21/205 , H01L21/22 511A , H01L21/324 W , H01L21/26 G

Fターム (12件)：

5F045AA03 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045AF01 , 5F045BB08 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EC07 , 5F045EJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-297352 出願人：株式会社日立国際電気

審査官引用 (3件)

特開平3-011621
特開平3-255621
縦型CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-180739 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立国際電気

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