特許
J-GLOBAL ID:200903066975127814

薄膜積層コンデンサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡田 全啓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-299538
公開番号(公開出願番号):特開2000-124056
出願日: 1998年10月21日
公開日(公表日): 2000年04月28日
要約:
【要約】【課題】 比較的安価で比抵抗の小さい卑金属材料を電極に使用した場合にも良好な特性を発揮する薄膜積層コンデンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 本願発明の薄膜積層コンデンサの誘電体薄膜は、(Ba1-x Srx )TiO3 (ただし、0≦x≦1)で表される主成分に還元防止剤とアクセプタとを含有している。また、本願発明の薄膜積層コンデンサの製造方法は、基板上にCu、AlあるいはNiのいずれかを主成分とする金属薄膜からなる電極薄膜を形成する第1工程と、電極薄膜上にCVD法で、(Ba1-x Srx )TiO3 (ただし、0≦x≦1)で表される主成分に還元防止剤とアクセプタとを含有してなる誘電体薄膜を形成する第2工程と、第1および第2工程を少なくとも2回以上繰り返す第3工程と、電極薄膜に電気的に接続した外部電極を形成する第4工程とを含む。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に積層された複数の誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜を挟んで形成された複数の電極薄膜と、前記電極薄膜に電気的に接続された外部電極とを含む薄膜積層コンデンサにおいて、前記誘電体薄膜は、(Ba1-x Srx )TiO3 (ただし、0≦x≦1)で表される主成分に還元防止剤とアクセプタとを含有していることを特徴とする、薄膜積層コンデンサ。
IPC (5件):
H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 364 ,  C23C 16/40 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/30 311
FI (5件):
H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 364 ,  C23C 16/40 ,  H01G 4/30 311 D ,  H01G 4/06 102
Fターム (50件):
4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA14 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030JA06 ,  4K030LA02 ,  4K030LA11 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF00 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH03 ,  5E001AH06 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC40 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE24 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG22 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG28 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ12 ,  5E082JJ23 ,  5E082KK01 ,  5E082LL03 ,  5E082MM23 ,  5E082MM24 ,  5E082PP03 ,  5E082PP08
引用特許:
審査官引用 (6件)
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