半導体素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045049
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097193
出願日： 1995年02月10日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】同一の反応容器内で実行されるような後続の成長ステップと適合性を有するよう、エッチングできる半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 III-V族の化合物半導体基板の表面は、活性状態の塩素をエッチャント種として含有する反応性ガス状化学媒体によりチェンバー内でエッチングされる。このエッチングは、いわゆるパルスモードで行われる。このパルスモードとは、エッチャント種が反応容器内に導入され、その後、エッチャント種の反応容器内への導入が中断されることが繰り返されるものである。このエッチャント種の注入の中断の間、化合物半導体内のIII族元素の種の表面移動は、その基板の表面を平滑にするのに役立つ。さらに、本発明によれば、III族の元素の種が各エッチング期間の間、導入される。この種の導入がエッチングプロセスによる平面の平滑さを促進する。

請求項（抜粋）：

(A)反応容器(10)内に、III-V族半導体材料から形成された表面部分を有するワークピース(12)を配置するステップと、(B)前記表面部分をパルスモードでエッチングするステップと、このパルスモードは、エッチャント種を含有するガスを、前記反応容器(10)内に導入する期間と、前記ガスの導入を中断する期間とを交互に繰り返し、(C)前記エッチング期間の間、前記反応容器(10)内に前記材料の表面部分に沿って移動可能なIII族元素を含有するガスを導入するステップと、(D)前記パルスモードエッチングの後、前記同一の反応容器(10)内で、インシチュに半導体材料の層を前記エッチングされた表面上に成長させるステップと、からなることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 F , H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (6件)

化合物半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141807 出願人：三菱化成株式会社
特開平2-220436
特開昭64-061918

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審査官引用 (10件)

化合物半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141807 出願人：三菱化成株式会社
特開平2-220436
特開平2-220436

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