特許

J-GLOBAL ID：200903067014538634

3次元積層デバイスとその製造方法、及び3次元積層デバイスの接合方法

発明者： 安井 淳人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-131983
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288384
出願日： 2007年05月17日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

【課題】信頼性の高い3次元積層デバイスとその製造方法、及びその3次元積層デバイスの接合方法を提供する。【解決手段】複数の半導体ウェハ2〜5が積層一体化された後、各デバイスに固片化されて成る3次元積層デバイス1であって、隣り合って積層される半導体ウェハにおいて、一方の半導体ウェハの接合部が凸状6に形成され、他方の半導体ウェハの接合部が凹状7に形成され、一方の半導体ウェハの凸状の接合部6と、他方の半導体ウェハの凹状7の接合部とが直接接合されて積層されて成る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の半導体ウェハが積層一体化された後、各デバイスを形成する3次元積層デバイスであって、 隣り合って積層される半導体ウェハにおいて、一方の半導体ウェハの接合部が凸状に形成され、他方の半導体ウェハの接合部が凹状に形成され、 前記一方の半導体ウェハの凸状の接合部と、前記他方の半導体ウェハの凹状の接合部とが直接接合されて積層されて成る ことを特徴とする3次元積層デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/00 ,  H01L 29/84 ,  B81C 3/00

FI (5件)：

H01L21/02 B ,  H01L27/12 B ,  H01L27/00 301B ,  H01L29/84 B ,  B81C3/00

Fターム (18件)：

3C081AA01 ,  3C081BA04 ,  3C081BA06 ,  3C081BA11 ,  3C081BA22 ,  3C081CA05 ,  3C081CA32 ,  3C081EA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA27 ,  4M112CA32 ,  4M112CA33 ,  4M112DA18 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 3次元デバイスの集積化方法および集積デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-529006   出願人：ジプトロニクス・インコーポレイテッド

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-198827   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-159788
  
• 複合半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-020734   出願人：宇部興産株式会社
• 複合半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-020735   出願人：エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社, 宇部興産株式会社